西电中科院院士郝跃 西安电子科技大学郝跃教授当选中国科学院院士
中国科学院网站12月19日公布了中国科学院2013年当选院士名单,西安电子科技大学郝跃教授当选。郝跃教授长期从事微电子技术科研与教学工作,主要方向为第三代半导体材料和器件、微米纳米半导体器件与可靠性研究。他系统研究了GaN电子材料生长中缺陷形成的机理,基于自主方法,建立了2英寸、3至4英寸及6英寸三代自主国产化MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺技术,研制出国际先进水平的GaN电子材料,在国内外得到应用和好评。
其设备与材料技术已经得到产业化推广和应用。在高性能GaN基微波毫米波功率器件研制方面,结合自主提出的无应变背势垒和槽栅浮空场板等新型结构,研制出高性能GaN微波毫米波功率器件,得到国内外高度评价。
同时自主建立了GaN微波毫米波功率器件的成套国产化工艺,研制成功的器件已在重点工程中得到试用。
他研制成功了4GHz频率下功率附加效率高达73%的MOS-HEMT微波功率器件,这一成果被国际同行评价“为高频大功率系统应用指明了方向”,并被认为是近十年里国际GaN HEMT器件领域三方面标志性成果之一。
他先后对硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等三代半导体器件开展退化与失效机理研究,提出并建立自对准槽栅半导体器件结构与制造工艺,对半导体器件的抗热载流子退化、抗辐照加固等问题取得了卓有成效的研究成果。
他以第一完成人获2009年国家技术发明二等奖、1998年国家科技进步三等奖及2010 年“何梁何利”基金科学与技术进步奖。另获国家科技进步二奖1项(排名第五),省部级一、二等奖10余项。在国内外发表的论文有168篇被SCI收录、被引用601次,出版专著3部,获国家发明专利授权57件。培养博士39名,硕士100余名。他是国家安全重大基础研究(973)计划首席科学家,其科研团队被评为08年国防科技创新团队。
郝跃教授近20年来一直从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的开拓研究,在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得了一系列重要的创新性成果,在国内外同行中有重要影响,对开创我国宽禁带半导体材料、器件和高功率微波电子学研究做出了系统性、创造性的重要贡献。
