Intel：20nm 128GB新NAND闪存研发成功

2018-04-15
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文章简介：    Intel公司和Micron Technology, Inc.公司推出NAND闪存技术新基准首款20纳米.128GB的多层单元(MLC)器件.他们还宣布其64GB版本已量产,进一步提高了该两家公司在 NAND制程技术上的领导地位. 芯片尺寸采用Intel和Micron IM技术 (IMFT) 的单片器件是第一只存储量达1TB的器件,该器件仅有手指尖大小.新款20nm.128GB MLC NAND器件达到了现款产品的2倍性能.该128GB器件满足高速ONFI 3.0规范的要求,可达到333

    Intel公司和Micron Technology, Inc.公司推出NAND闪存技术新基准首款20纳米、128GB的多层单元(MLC)器件。他们还宣布其64GB版本已量产，进一步提高了该两家公司在 NAND制程技术上的领导地位。

芯片尺寸

采用Intel和Micron IM技术 (IMFT) 的单片器件是第一只存储量达1TB的器件，该器件仅有手指尖大小。新款20nm、128GB MLC NAND器件达到了现款产品的2倍性能。该128GB器件满足高速ONFI 3.0规范的要求，可达到333兆/秒的传输率，为大量移动设备带来了新的选择。

它们在20nm制程技术成功的关键是在于采用了新的单元结构，能容纳更大规模的单元。其采用平面式单元结构，这在行业中是首次采用，以克服与先进制程技术伴随而来的内在困难。由于在NAND产品上集成了第一Hi-K/金属栅栈，这种平面式单元结构成功地突破了标准NAND浮动栅的比例瓶颈。