AMD与IBM在芯片制造工艺上取得新突破
AMD今天宣布,在合作伙伴IBM的帮助下,他们已经取得了45nm制造工艺的关键性突破,为进军16nm技术乃至更小尺寸工艺奠定了坚实基础。
AMD和IBM成功使用全场(Full-Field)极端远紫外线(EUV)平版印刷术制造了一颗45nm工艺试验性芯片,尺寸22×33毫米。此前使用EUV技术生产的芯片部件都是“窄场”(Narrow-Field)的,只设计整个芯片的一部分,而AMD和IBM将其延伸到了芯片上的全部区域,整个第一层金属互联层都使用了这种技术。
AMD是在德国德累斯顿Fab 36晶圆厂使用193nm沉浸平版印刷术制造这颗芯片的,随后将其运往IBM在纽约首府奥尔巴尼纳米科学与工程学院的研究工厂,使用荷兰光刻设备供应商 ASML Holding NV的一台13.5nm EUV平版印刷扫描仪蚀刻了芯片晶体管之间的第一层金属互联层,最终完成了这颗芯片。
AMD称,试验芯片内部晶体管的“特性与只使用193nm沉浸平版印刷术制造的芯片完全一致”。
最近二十年来,业界一直认为EUV平版印刷术是最有希望的下一代微芯片生产工艺。早在1997年,Intel、AMD、摩托罗拉就联合成立了一家名为“EUV Limited Liability Corporation”的公司,试图在100nm工艺水平上取代深紫外线(DUV),但后者近来不断进步,已经可以在45nm工艺上大规模量产了,并普遍被认为能延续到22nm。
当然,DUV技术早晚都会走到尽头,向EUV的转换可能会出现在16nm工艺上,时间大概是2013年左右。
AMD称,要想将EUV平版印刷术投入实际生产,必须将这种技术扩展到整个微处理器的所有关键层上,而不仅限于金属互联层。AMD认为,EUV平版印刷术必须在2016年之前获得投产认证,因为届时将到达22nm工艺极限。