中山大学王钢 2016中山大学电子与信息工程学院招聘专职科研人员

2017-05-07

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文章简介：广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心(刘扬教授团队)特聘研究员二级岗1.研究方向及主要研究内容: 研究方向为:GaN电

广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心(刘扬教授团队)

特聘研究员二级岗

1.研究方向及主要研究内容: 研究方向为:GaN电力电子材料、器件及应用。以下研究内容选择其一: (1)GaN材料MOCVD外延及物性研究, (2)GaN电力电子器件物理、结构设计、制造工艺研究 (3)GaN电力电子器件的系统集成及应用技术研究(光伏逆变、通用电源等)

(一)遵纪守法,热爱科研,恪守学术规范。 (二)掌握所从事领域的国际研究动态,具有独立开展和组织科研工作的能力;有指导硕士研究生的能力,能胜任本专业方向的科研工作;具有团队合作精神。 (三)学历学位要求:1、半导体材料与器件相关专业博士毕业,获得博士学位;研究方向为第三代半导体GaN材料与器件,或具有第三代半导体领域的研究背景/研究经历/电力电子技术;2、国内外知名高校助理教授/副教授/副研究员/研究员或具有相当水平的人员; (四)专业技术要求:具有深厚的理论基础和专业知识,具有较强的科研能力和水平,具备组织和承担重大科研项目的能力;熟悉MOCVD工艺流程,能够熟练运用MOCVD工艺制备氮化物材料及器件;具备Si基功率半导体器件的制备及设计能力。

(五)年龄要求:原则上年龄不超过38周岁,身心健康; (六)同时具备以下条件: (1)近两年作为主要作者(第一作者/通讯作者)发表SCI论文5篇以上(IEEE-EDL、TED、IEDM会议论文或其他高影响因子论文优先); (2) 近三年承担或作为主要人员参加的省部级及以上项目至少一项; (3)近三年在相关领域获得发明专利授权1项以上; (七)具有一年以上产业界工作经验者优先。