胡世忠两会 【两会专访】胡世忠:将硅衬底LED产业化上升为国家战略重点推进
LED照明,因其具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等特点,被公认为是21世纪最具发展前景的高新技术之一。随着蓝光LED技术发明人中村修二等LED专家获得诺贝尔物理奖,LED作为主流照明技术的地位已被奠定,且正在引发世界照明工业的革命。
根据生长衬底不同,蓝光LED技术有三条主流技术路线:即以日本日亚为代表的蓝宝石衬底LED技术、以美国Cree为代表的碳化硅衬底LED技术以及以中国晶能光电为代表的硅衬底LED技术,而前两条技术路线已经被欧、美、日等国占尽先机。
那么如何提升我国在LED照明产业中的国际地位和竞争力?“我国自主知识产权的硅衬底LED技术从源头上避开了发达国家的技术壁垒,不仅从实验室走向了国际市场,更是已经具备了大规模产业化能力。”江西省工业和信息化委员会主任胡世忠在接受《中国电子报》记者专访时表示,“建议把硅衬底LED产业化上升为国家战略来重点推进。”
硅衬底LED技术打破国际垄断
经过多年的运作,五家国际大企业已经通过交叉授权等手段,在LED产业构筑了森严的专利壁垒,让后来者面临着极大的风险。而我国的硅衬底LED技术从源头上避开了这一壁垒,目前已经申请或拥有国际国内专利232项,实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护,打破了日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面。
对此,胡世忠认为,硅衬底LED技术打开了我国LED产业自主发展的空间,对我国半导体照明产业发展具有重大战略意义和产业价值,尤其是能够显著提升我国在此产业中的国际地位和竞争力。
目前,硅衬底LED技术已经实现了从实验室走向国际市场的完美蜕变。记者了解到,江西省LED上游龙头企业晶能光电每年以8000万元以上的研发经费专注于硅衬底LED技术的研发,以保持其在全球硅衬底LED领域的领先地位。
晶能光电硅衬底LED小功率LED芯片2009年正式量产,2012年硅衬底大功率LED芯片全球率先大规模量产,目前其产品性能已经与国际大厂相当。硅衬底LED技术实验室水平已达封装后白光LED发光效率160Lm/W,是全球硅衬底LED技术最高水平。
2014年8月,美国能源部《固态照明研究与发展制造蓝图》报告中明确写道:“晶能光电是硅衬底LED技术的最早实践者,并在2012年6月开始量产硅衬底氮化镓LED裸芯。”这是国际上对晶能光电在硅衬底LED技术上领先的认可。
“随着硅衬底LED技术和工艺的成熟,其产品线正在向一系列性能更高、附加值更高的照明领域延伸。”胡世忠告诉记者,“在某些细分领域市场,硅衬底LED产品已经超越国际大厂,占据市场份额第一的位置,成为江西省乃至我国LED产业与国际大厂同台竞争的核心优势。”
在国际大厂的围追堵截下,硅衬底LED技术能一路发展起来实属不易,而这一成就得益于江西省围绕硅衬底LED技术垂直整合打造的一条具有核心竞争力的产业链。目前,江西已经形成了以晶能光电、晶瑞光电、晶和照明为上、中、下游骨干企业的硅衬底LED产业链,同时在北京、江苏、辽宁、深圳以及美国有7家企业协同。
胡世忠透露,江西还正在大力推动LED芯片特别是拥有自主知识产权的硅衬底LED芯片生产方式的升级改造,一批专注于研发LED芯片自动化生产线高端装备的项目正在抓紧实施。随着硅衬底LED产业的不断壮大,这种由点(晶能光电)到面(江西省),再铺设成网(全国各地)的辐射效应将越加凸显,硅衬底LED产业生态圈已初步形成。
另外,记者还了解到,硅衬底LED技术已经具备了大规模产业化能力。硅衬底LED技术最大的优势是可以在更大尺寸上制作LED器件,并且可以采用集成电路生产工艺和设备,大幅提高生产效率,降低成本。目前晶能光电公司研发的6英寸硅外延和芯片关键技术已经取得了突破,中试已经成功,下一步将加快实现产业化进程,为大规模生产创造条件。
应给予硅衬底LED技术大力支持
近期,国家工程院陈良惠院士和863计划光电子主题原首席科学家陈皓明教授等专家联合向中央建言:“现在纵观全国前沿技术,离国际最近的就是硅衬底LED技术,希望中央给予硅衬底LED技术大力支持。”同时,专家们也深表担忧:“国外如三星、欧司朗、东芝等大企业正在追赶,如果不抓紧,就有可能起个大早赶个晚集。
”如今,全球三条LED照明技术路线竞争的格局已基本定格,将具有完整自主知识产权的硅衬底LED技术上升为国家技术战略已成为我国LED产业可持续发展的迫切所需。
为此,胡世忠分别从五个维度提出了建议:一是推动硅衬底LED产业发展列为国家战略,统筹有关专项资金全力支持和推进。在国务院领导下,组建专项领导小组,具体由工信部牵头,各部门协同,形成合力,予以重点推进。在国家“十三五”产业规划编制中,明确将硅衬底LED技术作为LED产业重点发展方向,在硅衬底LED产业链建设上给予政策鼓励,在工业技术改造、强基工程、转型升级等专项和国家集成电路产业投资基金倾斜支持硅衬底LED技术升级和产业做大规模。
二是实施创新驱动发展战略,促进硅衬底LED技术与集成电路技术集成创新,推动硅衬底LED高端装备制造业发展。在国家863计划或国家重大科研计划中,支持并促进硅衬底LED技术与集成电路技术集成创新,加速推进硅衬底LED外延、芯片和金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)技术及生产自动化水平提升,支持LED芯片制造、器件封装等高端装备制造业发展,以保持硅衬底LED技术在国际上的领先地位。
三是加速硅衬底LED技术产品的推广应用,大力支持硅衬底LED技术产品出口。充分利用国际国内两种资源、两个市场,加速硅衬底LED技术和产品的推广应用。发挥国家高技术开发专项和节能专项补贴等政策引导作用,在城市道路改造、高速公路和港口码头等财政性资金支持建设项目中,鼓励同等条件下优先选用硅衬底LED照明产品。
鼓励和引导国内汽车企业使用硅衬底LED技术及车用产品,拓展硅衬底LED产品应用领域;在对外援助项目中优先选用硅衬底LED照明产品。
四是强化硅衬底LED技术核心专利技术保护和国家标准建设。贯彻落实《国家知识产权战略纲要》,加速硅衬底LED专利申请的审批,加大硅衬底LED国外专利授权的奖励,加速绘制硅衬底LED专利地图,做好专利预警;开展硅衬底LED芯片及其应用产品标准的制订,构建和完善国家LED产业标准体系,为硅衬底LED技术产品推广应用营造有序的市场环境和提供有力的支撑。
五是鼓励政策性金融机构发挥引导作用,撬动社会资金加大对硅衬底LED上、中、下游领域的投入。鼓励并推动国开行、中国进出口银行等政策性银行对硅衬底LED技术研发、产业化项目的融资需要予以倾斜支持,发挥政策性资金的引导作用,撬动社会资金加大对硅衬底LED上、中、下游领域的投入,促进硅衬底LED全产业链建设,推动硅衬底LED产业规模的迅速扩大,加速推广硅衬底LED产品的应用。
