中国半导体科技界一代宗师黄昆院士逝世

2017-06-29

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文章简介：中新社北京七月七日电(记者孙自法)世界知名物理学家.中国半导体科技界一代宗师黄昆院士因病医治无效,昨日下午在北京逝世,享年八十六岁.黄昆院士一九一九年九月出生于北京,一九四一年毕业于燕京大学物理系,一九四五年赴英国留学,一九四八年获英国布里斯托大学哲学博士学位,一九四九年至一九五一年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员,一九五一年回国任北京大学物理系教授至一九七七年,一九七七年至一九八三年任中国科学院半导体研究所所长,其后一直担任该所名誉所长.黄昆院士对固体物理学作出许多开拓性重大贡献,是中

中新社北京七月七日电(记者孙自法)世界知名物理学家、中国半导体科技界一代宗师黄昆院士因病医治无效,昨日下午在北京逝世,享年八十六岁。

黄昆院士一九一九年九月出生于北京,一九四一年毕业于燕京大学物理系,一九四五年赴英国留学,一九四八年获英国布里斯托大学哲学博士学位,一九四九年至一九五一年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员,一九五一年回国任北京大学物理系教授至一九七七年,一九七七年至一九八三年任中国科学院半导体研究所所长,其后一直担任该所名誉所长。

黄昆院士对固体物理学作出许多开拓性重大贡献,是中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一:他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射,以后被称为“黄散射”,这个理论在上世纪六十年代获实验证实,已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段;

他的多声子跃迁理论,以“黄-里斯因子”而著称于世;他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合,即后来称为极化激元的重要概念;他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书,是一部有世界影响的经典性科学专著;他的理论对信息产业特别是光电子产业具有重要的现实指导意义,影响越来越深远;近年来,他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。